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本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
SK海力士正在考虑提前启动新的EUV生产线，并与ASML保持紧密协商，以加快设备交付速度。
据报道，SK海力士计划在未来两年内新购置约20台ASML 的EUV光刻系统。考虑到SK海力士目前持有约20台用于研发和生产的EUV机台，这意味着这家存储巨头对此类设备的保有规模将在两年内翻倍。
EUV设备价格极其高昂，每台价值在3000亿至5000亿韩元之间，且全球仅荷兰ASML一家能够生产。按单价计算，SK海力士此次投资规模预计至少在6万亿韩元以上。这些设备将被陆续引进并分布安装在清州M15X工厂和利川M16工厂。M15X计划在今年底投产，将率先配置EUV设备；M16则会根据工艺转换（Tech Migration）的路线图逐步引入。
一位熟悉情况的业内人士透露：“SK海力士正在考虑提前启动新的EUV生产线，并与ASML保持紧密协商，以加快设备交付速度。”
在SK海力士的两大业务领域中，内存端的EUV光刻工艺早已随着2021年的1a nm DRAM实现商业化，EUV的应用规模也在随着内存世代演进稳步提升。而由于AI发展对企业级高性能存储尤其是HBM需求的提升，SK海力士需要更多的EUV设备来扩大先进DRAM内存的生产规模。
除目前主要应用的Low-NA EUV光刻机，SK海力士本月早些时候还在存储器业界引进了首台量产型High-NA EUV光刻机，即ASML的 TWINSCAN EXE:5200B，部署在韩国利川M16生产基地中。
SK 海力士引入首台量产型High NA EUV光刻机
今年9月SK海力士宣布，已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引进韩国利川M16工厂。
此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。
SK海力士计划通过引进该设备，简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。SK海力士表示：“在全球半导体市场竞争愈发激烈的背景下，公司已成功构建起快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。通过与合作伙伴的密切协作，公司将进一步提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。”
ASML韩国公司总经理金丙灿社长表示：“High NA EUV是开启半导体产业未来的核心技术。我们将与SK海力士紧密合作，积极推动下一代半导体存储器技术的创新进程。”
SK海力士未来技术研究院长兼技术总管车宣龙副社长表示：“通过此次设备引进，SK海力士为实现公司未来技术发展愿景奠定了核心基础设施。公司将以最先进技术，为快速增长的AI和新一代计算市场开发所需高端存储器，引领面向AI的存储器市场。”
SK海力士成功完成HBM4开发
9月12日，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效，并在全球首次构建了量产体系。
据SK海力士介绍，相比前一代产品（HBM3E），新一代HBM4的数据传输通道（I/O）从1024条提升至2048条，带宽较之扩大一倍，与此同时，其HBM4实现了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外，该产品能效提升40%。这意味着，其HBM4不仅在单位时间内处理的数据量有了巨大提升，还可降低数据中心电力成本。
SK海力士预测，将该产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%。这能让AI训练和推理更快、更高效。
SK海力士在HBM4的开发过程中采用了自研的MR-MUF封装技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，MR-MUF工艺指在堆叠半导体芯片后，通过向芯片间隙注入液态保护材料并固化的方式保护层间电路，相较逐层堆叠芯片时铺设薄膜材料的传统方式，该工艺效率更高且散热效果优异。
SK海力士AI Infra部门总裁兼首席营销官金柱善（Kim Ju Seon）表示：“HBM4是突破AI基础设施局限性的标志性转折点，SK海力士将通过及时供应AI时代所需的最高品质和多样化性能内存，成长为一家全栈式AI内存提供商。”
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